Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
STMicroelectronics STB35N65DM2
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | STB35N65DM2 |
| رقم قطعة EBEE | E85268669 |
| الحزمة | D2PAK |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 650V 32A 250W 0.093Ω@10V,16A 4V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>26 في المخزن للشحن السريع
26 متوفر للشحن الفورييمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $3.6150 | $ 3.6150 |
| 10+ | $3.0641 | $ 30.6410 |
| 30+ | $2.7360 | $ 82.0800 |
| 100+ | $2.4049 | $ 240.4900 |
| 500+ | $2.2517 | $ 1125.8500 |
| 1000+ | $2.1820 | $ 2182.0000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | ST STB35N65DM2 | |
| RoHS | ||
| RDS(على) | 93mΩ@10V | |
| درجة حرارة التشغيل - | -55℃~+150℃ | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 2.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 250W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 32A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.54nF | |
| Gate Charge(Qg) | 56.3nC@520V |
دليل التسوق
توسيع
26 Stock for Shipping Fast
26 available for immediate shippingيمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $3.6150 | $ 3.6150 |
| 10+ | $3.0641 | $ 30.6410 |
| 30+ | $2.7360 | $ 82.0800 |
| 100+ | $2.4049 | $ 240.4900 |
| 500+ | $2.2517 | $ 1125.8500 |
| 1000+ | $2.1820 | $ 2182.0000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
