Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
STMicroelectronics STB23N80K5
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | STB23N80K5 |
| رقم قطعة EBEE | E8472539 |
| الحزمة | D2PAK |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 800V 16A 280mΩ@10V,8A 190W 4V@100uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $4.7716 | $ 4.7716 |
| 10+ | $4.6597 | $ 46.5970 |
| 30+ | $4.5838 | $ 137.5140 |
| 100+ | $4.5097 | $ 450.9700 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | ST STB23N80K5 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -55℃~+150℃ | |
| النوع | 1 N-channel | |
| الصرف مصدر الجهد (Vdss) | 800V | |
| تيار التصريف المستمر (Id) | 16A | |
| مصدر التصريف على المقاومة (RDS (على) @ Vgs ، Id) | 280mΩ@10V,8A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 190W | |
| بوابة عتبة الجهد (Vgs (th) @ Id) | 4V@100uA | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 1.5pF@100V | |
| سعة المدخلات (Ciss@Vds) | 1nF@100V | |
| إجمالي رسوم البوابة (Qg@Vgs) | 33nC@10V |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $4.7716 | $ 4.7716 |
| 10+ | $4.6597 | $ 46.5970 |
| 30+ | $4.5838 | $ 137.5140 |
| 100+ | $4.5097 | $ 450.9700 |
