Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
STMicroelectronics STB18N65M5
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | STB18N65M5 |
| رقم قطعة EBEE | E82971036 |
| الحزمة | D2PAK |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 710V 15A 0.22Ω@10V,7.5A 110W 3V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $4.7211 | $ 4.7211 |
| 200+ | $1.8274 | $ 365.4800 |
| 500+ | $1.7626 | $ 881.3000 |
| 1000+ | $1.7320 | $ 1732.0000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | ST STB18N65M5 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -55℃~+150℃ | |
| النوع | 1 N-channel | |
| الصرف مصدر الجهد (Vdss) | 710V | |
| تيار التصريف المستمر (Id) | 15A | |
| مصدر التصريف على المقاومة (RDS (على) @ Vgs ، Id) | 0.22Ω@10V,7.5A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 110W | |
| بوابة عتبة الجهد (Vgs (th) @ Id) | 3V@250uA | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 3.2pF | |
| سعة المدخلات (Ciss@Vds) | 1.24nF@100V | |
| إجمالي رسوم البوابة (Qg@Vgs) | 31nC |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $4.7211 | $ 4.7211 |
| 200+ | $1.8274 | $ 365.4800 |
| 500+ | $1.7626 | $ 881.3000 |
| 1000+ | $1.7320 | $ 1732.0000 |
