Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
STMicroelectronics STB120N4F6
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | STB120N4F6 |
| رقم قطعة EBEE | E82970287 |
| الحزمة | D2PAK |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 40V 80A 4V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $3.9475 | $ 3.9475 |
| 200+ | $1.5280 | $ 305.6000 |
| 500+ | $1.4751 | $ 737.5500 |
| 1000+ | $1.4477 | $ 1447.7000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | ST STB120N4F6 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| النوع | 1 N-channel | |
| التكوين | - | |
| الصرف مصدر الجهد (Vdss) | 40V | |
| تيار التصريف المستمر (Id) | 80A | |
| مصدر التصريف على المقاومة (RDS (على) @ Vgs ، Id) | - | |
| تبديد الطاقة (Pd) | - | |
| بوابة عتبة الجهد (Vgs (th) @ Id) | 4V@250uA | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 350pF@25V | |
| سعة المدخلات (Ciss@Vds) | 3.85nF@25V | |
| إجمالي رسوم البوابة (Qg@Vgs) | 65nC@10V |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $3.9475 | $ 3.9475 |
| 200+ | $1.5280 | $ 305.6000 |
| 500+ | $1.4751 | $ 737.5500 |
| 1000+ | $1.4477 | $ 1447.7000 |
