Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
STMicroelectronics STB100NF04T4
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | STB100NF04T4 |
| رقم قطعة EBEE | E8500663 |
| الحزمة | D2PAK |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 40V 120A 4.6mΩ@10V,50A 300W 2V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $3.2025 | $ 3.2025 |
| 10+ | $2.7723 | $ 27.7230 |
| 30+ | $2.5018 | $ 75.0540 |
| 100+ | $2.2258 | $ 222.5800 |
| 500+ | $2.1023 | $ 1051.1500 |
| 1000+ | $2.0479 | $ 2047.9000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | ST STB100NF04T4 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -55℃~+175℃ | |
| النوع | 1 N-channel | |
| الصرف مصدر الجهد (Vdss) | 40V | |
| تيار التصريف المستمر (Id) | 120A | |
| مصدر التصريف على المقاومة (RDS (على) @ Vgs ، Id) | 4.6mΩ@10V,50A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 300W | |
| بوابة عتبة الجهد (Vgs (th) @ Id) | 2V@250uA | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 160pF@25V | |
| سعة المدخلات (Ciss@Vds) | 5.1nF@25V | |
| إجمالي رسوم البوابة (Qg@Vgs) | 150nC@32V |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $3.2025 | $ 3.2025 |
| 10+ | $2.7723 | $ 27.7230 |
| 30+ | $2.5018 | $ 75.0540 |
| 100+ | $2.2258 | $ 222.5800 |
| 500+ | $2.1023 | $ 1051.1500 |
| 1000+ | $2.0479 | $ 2047.9000 |
