78% off
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | NXH25C120L2C2SG |
| رقم قطعة EBEE | E8906528 |
| الحزمة | DIP-26 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | DIP-26 IGBT Transistors / Modules ROHS |
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $15.9997 | $ 15.9997 |
| 30+ | $15.5048 | $ 465.1440 |
| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,IGBTs ,IGBT Modules | |
| ورقة البيانات | onsemi NXH25C120L2C2SG | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -40℃~+150℃ | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vces) | 1.2kV | |
| بوابة الباعث الجهد (Vge(th)@Ic) | [email protected] | |
| Current - Collector(Ic) | 25A | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 2.4V@25A,15V | |
| Td(off) | 235ns | |
| Td(on) | 68ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 117pF | |
| Switching Energy(Eoff) | 720uJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 2.2mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 6.2nF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 370A |
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $15.9997 | $ 15.9997 |
| 30+ | $15.5048 | $ 465.1440 |
