| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | FF150R12KS4 |
| رقم قطعة EBEE | E8540932 |
| الحزمة | Screw Terminals |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | IGBT Transistors / Modules ROHS |
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $72.8226 | $ 72.8226 |
| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,IGBTs ,IGBT Modules | |
| ورقة البيانات | Infineon FF150R12KS4 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -40℃~+125℃ | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vces) | 1.2kV | |
| بوابة الباعث الجهد (Vge(th)@Ic) | 4.5V@6mA | |
| Current - Collector(Ic) | 225A | |
| Pd - Power Dissipation | 1.25kW | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 3.7V@150A,15V | |
| Td(off) | 530ns | |
| Td(on) | 100ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 0.5nF | |
| Switching Energy(Eoff) | 11mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 14.5mJ | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 300A |
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $72.8226 | $ 72.8226 |
