Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
onsemi NTE4153NT1G
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | NTE4153NT1G |
| رقم قطعة EBEE | E879836 |
| الحزمة | SC-89 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 20V 915mA 300mW 0.127Ω@4.5V 450mV@250uA 1 N-channel SC-89 MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 5+ | $0.4346 | $ 2.1730 |
| 50+ | $0.3593 | $ 17.9650 |
| 150+ | $0.3269 | $ 49.0350 |
| 500+ | $0.2554 | $ 127.7000 |
| 3000+ | $0.2375 | $ 712.5000 |
| 6000+ | $0.2267 | $ 1360.2000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | onsemi NTE4153NT1G | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -55℃~+150℃ | |
| النوع | 1 N-channel | |
| الصرف مصدر الجهد (Vdss) | 20V | |
| تيار التصريف المستمر (Id) | 915mA | |
| مصدر التصريف على المقاومة (RDS (على) @ Vgs ، Id) | 0.127Ω@4.5V | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 300mW | |
| بوابة عتبة الجهد (Vgs (th) @ Id) | 450mV@250uA | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 12pF | |
| سعة المدخلات (Ciss@Vds) | 110pF | |
| إجمالي رسوم البوابة (Qg@Vgs) | 1.82nC |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 5+ | $0.4346 | $ 2.1730 |
| 50+ | $0.3593 | $ 17.9650 |
| 150+ | $0.3269 | $ 49.0350 |
| 500+ | $0.2554 | $ 127.7000 |
| 3000+ | $0.2375 | $ 712.5000 |
| 6000+ | $0.2267 | $ 1360.2000 |
