| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | FDMS8680 |
| رقم قطعة EBEE | E8891108 |
| الحزمة | Power56-8 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 30V 35A 7mΩ@10V,14A 50W 1V@250uA 1 N-channel Power-56-8 MOSFETs ROHS |
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5976 | $ 0.5976 |
| 10+ | $0.5838 | $ 5.8380 |
| 30+ | $0.5731 | $ 17.1930 |
| 100+ | $0.5638 | $ 56.3800 |
| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | onsemi FDMS8680 | |
| RoHS | ||
| RDS(على) | 7mΩ@10V | |
| درجة حرارة التشغيل - | -55℃~+150℃ | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 145pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 50W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 35A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.59nF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5976 | $ 0.5976 |
| 10+ | $0.5838 | $ 5.8380 |
| 30+ | $0.5731 | $ 17.1930 |
| 100+ | $0.5638 | $ 56.3800 |
