| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | A3G18H500-04SR3 |
| رقم قطعة EBEE | E85196407 |
| الحزمة | SOT-1826-1 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | SOT-1826-1 GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $470.5000 | $ 470.5000 |
| 250+ | $182.0784 | $ 45519.6000 |
| 500+ | $175.6795 | $ 87839.7500 |
| 1000+ | $172.5167 | $ 172516.7000 |
| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | أجهزة نيتريد الغاليوم (GaN) ,ترانسسترات GaN (GaN HEMT) | |
| ورقة البيانات | NXP Semicon A3G18H500-04SR3 | |
| RoHS |
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $470.5000 | $ 470.5000 |
| 250+ | $182.0784 | $ 45519.6000 |
| 500+ | $175.6795 | $ 87839.7500 |
| 1000+ | $172.5167 | $ 172516.7000 |
