| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | APTC80TDU15PG |
| رقم قطعة EBEE | E817188645 |
| الحزمة | - |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 800V 28A 150mΩ@10V,14A 277W 3.9V@2mA 6 N-Channel MOSFETs ROHS |
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $429.8278 | $ 429.8278 |
| 200+ | $171.5039 | $ 34300.7800 |
| 500+ | $165.7738 | $ 82886.9000 |
| 1000+ | $162.9419 | $ 162941.9000 |
| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | MICROCHIP APTC80TDU15PG | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| النوع | 6 N-Channel | |
| الصرف مصدر الجهد (Vdss) | 800V | |
| تيار التصريف المستمر (Id) | 28A | |
| مصدر التصريف على المقاومة (RDS (على) @ Vgs ، Id) | 150mΩ@10V,14A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 277W | |
| بوابة عتبة الجهد (Vgs (th) @ Id) | 3.9V@2mA | |
| سعة المدخلات (Ciss@Vds) | 4.507nF@25V | |
| إجمالي رسوم البوابة (Qg@Vgs) | 180nC@10V |
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $429.8278 | $ 429.8278 |
| 200+ | $171.5039 | $ 34300.7800 |
| 500+ | $165.7738 | $ 82886.9000 |
| 1000+ | $162.9419 | $ 162941.9000 |
