Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Microchip Tech APT29F80J
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | APT29F80J |
| رقم قطعة EBEE | E85554175 |
| الحزمة | SOT-227B-4 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 800V 31A 543W 210mΩ@10V,24A [email protected] 1 N-channel SOT-227B-4 MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $110.7261 | $ 110.7261 |
| 200+ | $44.1817 | $ 8836.3400 |
| 500+ | $42.7040 | $ 21352.0000 |
| 1000+ | $41.9756 | $ 41975.6000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | MICROCHIP APT29F80J | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| النوع | 1 N-channel | |
| الصرف مصدر الجهد (Vdss) | 800V | |
| تيار التصريف المستمر (Id) | 31A | |
| مصدر التصريف على المقاومة (RDS (على) @ Vgs ، Id) | 210mΩ@10V,24A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 543W | |
| بوابة عتبة الجهد (Vgs (th) @ Id) | [email protected] | |
| سعة المدخلات (Ciss@Vds) | 9.326nF@25V | |
| إجمالي رسوم البوابة (Qg@Vgs) | 303nC@10V |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $110.7261 | $ 110.7261 |
| 200+ | $44.1817 | $ 8836.3400 |
| 500+ | $42.7040 | $ 21352.0000 |
| 1000+ | $41.9756 | $ 41975.6000 |
