Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Microchip Tech 2N7000-G
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | 2N7000-G |
| رقم قطعة EBEE | E8618559 |
| الحزمة | TO-92-3 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 60V 75mA 500mW 5Ω@10V,500mA 3V@1mA 1 N-channel TO-92-3 MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3094 | $ 1.3094 |
| 10+ | $1.1180 | $ 11.1800 |
| 30+ | $1.0114 | $ 30.3420 |
| 100+ | $0.8923 | $ 89.2300 |
| 500+ | $0.8002 | $ 400.1000 |
| 1000+ | $0.7767 | $ 776.7000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | MICROCHIP 2N7000-G | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -55℃~+150℃ | |
| النوع | 1 N-channel | |
| الصرف مصدر الجهد (Vdss) | 60V | |
| تيار التصريف المستمر (Id) | 75mA | |
| مصدر التصريف على المقاومة (RDS (على) @ Vgs ، Id) | 5Ω@10V,500mA | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 500mW | |
| بوابة عتبة الجهد (Vgs (th) @ Id) | 3V@1mA | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 5pF@25V | |
| سعة المدخلات (Ciss@Vds) | 25pF@25V |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3094 | $ 1.3094 |
| 10+ | $1.1180 | $ 11.1800 |
| 30+ | $1.0114 | $ 30.3420 |
| 100+ | $0.8923 | $ 89.2300 |
| 500+ | $0.8002 | $ 400.1000 |
| 1000+ | $0.7767 | $ 776.7000 |
