اللغة:
English
العربية
Deutsch(German)
Español(Spanish)
Türkçe (Turkish)
Português(Portuguese)
한국어(Korean)
日本語(Japanese)
Italiano(Italian)
Français (French)
هونغ كونغ: +852-61173199
البريد الإلكتروني:
[email protected]
سياسة الخصوصية
الشروط والأحكام
سياسة ملفات تعريف الارتباط
العربية
اتصل بنا
مساعدة
جميع المنتجات
الشركات المصنعة
منتجات جديدة
الدعم
من نحن
عروض
hot
كابلات مخصصة
new
المنزل
/
المنتجات
/
Silicon Carbide (SiC) Devices
/
Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET)
/
HXY MOSFET HC2M0160120D
/
صورة مكبرة
المصنّع #: HC2M0160120D | المصنّع: HXY MOSFET | المنتج: E819723851
توفر إلكترونيات eBee صورًا حقيقية للمنتج، ورسومات الأطراف (Pin Diagrams)، ورسومات بصمة الدوائر المطبوعة (PCB Footprint) لـ HXY MOSFET HC2M0160120D.
يبدأ سعر المرجع لـ HXY MOSFET HC2M0160120D من $5.4750,
مع توفر 109 وحدة حاليًا في المخزن.
الصور لأغراض مرجعية فقط
متوفر: 109
الحد الأدنى: 1
المضاعفات: 1
سعر الوحدة
$ 0
السعر الإجمالي
$ 0
أضف إلى العربة
اشترِ الآن
يمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Piece
الحقيبة الكاملة: 200
الكمية.
سعر الوحدة
السعر الإجمالي
1+
$2.7375
$ 2.7375
10+
$2.3406
$ 23.4060
30+
$2.1043
$ 63.1290
90+
$1.8657
$ 167.9130
510+
$1.7553
$ 895.2030
990+
$1.7059
$ 1688.8410
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
عرض سعر
(0 عناصر)
فارغ.