| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | DOU10N06 |
| رقم قطعة EBEE | E842412133 |
| الحزمة | TO-251 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | - |
| الوصف | TO-251 MOSFETs ROHS |
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 15+ | $0.0623 | $ 0.9345 |
| 150+ | $0.0492 | $ 7.3800 |
| 450+ | $0.0427 | $ 19.2150 |
| 1500+ | $0.0378 | $ 56.7000 |
| 7500+ | $0.0339 | $ 254.2500 |
| 15000+ | $0.0320 | $ 480.0000 |
| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | DOINGTER DOU10N06 | |
| RoHS | ||
| النوع | N-Channel | |
| RDS(على) | 60mΩ@10V | |
| درجة حرارة التشغيل - | -55℃~+150℃ | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 30pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 25W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 11A | |
| Ciss-Input Capacitance | 725pF | |
| Gate Charge(Qg) | 9.3nC@10V |
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 15+ | $0.0623 | $ 0.9345 |
| 150+ | $0.0492 | $ 7.3800 |
| 450+ | $0.0427 | $ 19.2150 |
| 1500+ | $0.0378 | $ 56.7000 |
| 7500+ | $0.0339 | $ 254.2500 |
| 15000+ | $0.0320 | $ 480.0000 |
