Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
DOINGTER DOD9N20
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | DOD9N20 |
| رقم قطعة EBEE | E842395890 |
| الحزمة | TO-252 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | - |
| الوصف | TO-252 MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>2375 في المخزن للشحن السريع
2375 متوفر للشحن الفورييمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1179 | $ 0.5895 |
| 50+ | $0.1029 | $ 5.1450 |
| 150+ | $0.0965 | $ 14.4750 |
| 500+ | $0.0886 | $ 44.3000 |
| 2500+ | $0.0850 | $ 212.5000 |
| 5000+ | $0.0829 | $ 414.5000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | DOINGTER DOD9N20 | |
| RoHS | ||
| النوع | N-Channel | |
| التكوين | - | |
| RDS(على) | 300mΩ@10V | |
| درجة حرارة التشغيل - | -55℃~+150℃ | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 24pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 82W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 9A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Gate Charge(Qg) | 2.3nC@10V |
دليل التسوق
توسيع
2375 Stock for Shipping Fast
2375 available for immediate shippingيمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1179 | $ 0.5895 |
| 50+ | $0.1029 | $ 5.1450 |
| 150+ | $0.0965 | $ 14.4750 |
| 500+ | $0.0886 | $ 44.3000 |
| 2500+ | $0.0850 | $ 212.5000 |
| 5000+ | $0.0829 | $ 414.5000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
