| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | DOD50P03 |
| رقم قطعة EBEE | E841416034 |
| الحزمة | TO-252 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | - |
| الوصف | 30V 50A 10mΩ@10V,20A 75W 2.5V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1154 | $ 0.5770 |
| 50+ | $0.0919 | $ 4.5950 |
| 150+ | $0.0802 | $ 12.0300 |
| 500+ | $0.0714 | $ 35.7000 |
| 2500+ | $0.0644 | $ 161.0000 |
| 5000+ | $0.0608 | $ 304.0000 |
| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | DOINGTER DOD50P03 | |
| RoHS | ||
| النوع | P-Channel | |
| RDS(على) | 10mΩ@10V | |
| درجة حرارة التشغيل - | -55℃~+175℃ | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 285pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 75W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.35nF | |
| Gate Charge(Qg) | 40nC@10V |
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1154 | $ 0.5770 |
| 50+ | $0.0919 | $ 4.5950 |
| 150+ | $0.0802 | $ 12.0300 |
| 500+ | $0.0714 | $ 35.7000 |
| 2500+ | $0.0644 | $ 161.0000 |
| 5000+ | $0.0608 | $ 304.0000 |
