| Üretici | |
| Üretici Parça No. | SVF12N65F |
| EBEE Parça No. | E818781 |
| Paket | TO-220F |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | EAR99 |
| Açıklama | 650V 12A 51W 680mΩ@10V,6A 4V@250uA 1 N-Channel TO-220F MOSFETs ROHS |
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5302 | $ 0.5302 |
| 10+ | $0.4257 | $ 4.2570 |
| 50+ | $0.3450 | $ 17.2500 |
| 100+ | $0.2896 | $ 28.9600 |
| 500+ | $0.2643 | $ 132.1500 |
| 1000+ | $0.2501 | $ 250.1000 |
| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Transistör/Thyristors ,MOSFET'LARI | |
| Veri Sayfası | Hangzhou Silan Microelectronics SVF12N65F | |
| RoHS | ||
| Tip | N-Channel | |
| RDS (on) | 640mΩ@10V | |
| Çalışma sıcaklığı - | -55℃~+150℃ | |
| Ters Transfer Kapasitesi (Crss@Vds) | 15pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 51W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.39nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 156pF | |
| Gate Charge(Qg) | 33nC@10V |
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5302 | $ 0.5302 |
| 10+ | $0.4257 | $ 4.2570 |
| 50+ | $0.3450 | $ 17.2500 |
| 100+ | $0.2896 | $ 28.9600 |
| 500+ | $0.2643 | $ 132.1500 |
| 1000+ | $0.2501 | $ 250.1000 |
