15% off
| Üretici | |
| Üretici Parça No. | G12P10KE-B |
| EBEE Parça No. | E822362828 |
| Paket | TO-252 |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | None |
| Açıklama | TO-252 MOSFETs ROHS |
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0699 | $ 0.3495 |
| 50+ | $0.0556 | $ 2.7800 |
| 150+ | $0.0485 | $ 7.2750 |
| 500+ | $0.0431 | $ 21.5500 |
| 2500+ | $0.0403 | $ 100.7500 |
| 5000+ | $0.0382 | $ 191.0000 |
| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Transistör/Thyristors ,MOSFET'LARI | |
| Veri Sayfası | GOFORD G12P10KE-B | |
| RoHS | ||
| Tip | P-Channel | |
| RDS (on) | 350mΩ@10V | |
| Çalışma sıcaklığı - | -55℃~+150℃ | |
| Ters Transfer Kapasitesi (Crss@Vds) | 41pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 44.6W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.652nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 42pF | |
| Gate Charge(Qg) | 33nC@10V |
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0699 | $ 0.3495 |
| 50+ | $0.0556 | $ 2.7800 |
| 150+ | $0.0485 | $ 7.2750 |
| 500+ | $0.0431 | $ 21.5500 |
| 2500+ | $0.0403 | $ 100.7500 |
| 5000+ | $0.0382 | $ 191.0000 |
