| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | YJD112010DG1 |
| Código da Peça EBEE | E82908532 |
| Pacote | TO-252 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 1.2kV 1.47V@10A Independent Type 33A TO-252 SiC Diodes ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.7421 | $ 5.7421 |
| 10+ | $5.0590 | $ 50.5900 |
| 30+ | $4.6437 | $ 139.3110 |
| 100+ | $4.2941 | $ 429.4100 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Diodos de SiC | |
| Folha de Dados | Yangzhou Yangjie Elec Tech YJD112010DG1 | |
| RoHS | ||
| Corrente de vazamento reverso (Ir) | [email protected] | |
| Tensão reversa (Vr) | 1.2kV | |
| Configuração do diodo | Independent Type | |
| Tensão de acomproça (Vf-If) | 1.47V@10A | |
| Corrente retificada (Io) | 33A |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.7421 | $ 5.7421 |
| 10+ | $5.0590 | $ 50.5900 |
| 30+ | $4.6437 | $ 139.3110 |
| 100+ | $4.2941 | $ 429.4100 |
