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HXY MOSFET HC3D10065A
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | HC3D10065A |
| Código da Peça EBEE | E819723878 |
| Pacote | TO-220-2L |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 650V Independent Type 1.5V@10A TO-220-2L SiC Diodes ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Diodos de SiC | |
| Folha de Dados | HXY MOSFET HC3D10065A | |
| RoHS | ||
| Corrente de vazamento reverso (Ir) | 60uA@650V | |
| Configuração do diodo | Independent | |
| Tensão - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.5V@10A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 90A | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+175℃ |
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