| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | HC3D10065A |
| Código da Peça EBEE | E819723878 |
| Pacote | TO-220-2L |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 650V Independent Type 1.5V@10A TO-220-2L SiC Diodes ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3077 | $ 1.3077 |
| 10+ | $1.0581 | $ 10.5810 |
| 50+ | $0.9076 | $ 45.3800 |
| 100+ | $0.7839 | $ 78.3900 |
| 500+ | $0.7096 | $ 354.8000 |
| 1000+ | $0.6704 | $ 670.4000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Dispositivos de Carboneto de Silício (SiC) ,Diodos de SiC | |
| Folha de Dados | HXY MOSFET HC3D10065A | |
| RoHS | ||
| Configuração do diodo | Independent | |
| Tensão - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.5V@10A | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 90A |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3077 | $ 1.3077 |
| 10+ | $1.0581 | $ 10.5810 |
| 50+ | $0.9076 | $ 45.3800 |
| 100+ | $0.7839 | $ 78.3900 |
| 500+ | $0.7096 | $ 354.8000 |
| 1000+ | $0.6704 | $ 670.4000 |
