| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | D4N65 |
| Código da Peça EBEE | E817179518 |
| Pacote | TO-252B |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 650V 4A 2.4Ω@10V,2A 75W 3V@250uA 1 N-channel TO-252B MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1206 | $ 0.6030 |
| 50+ | $0.1180 | $ 5.9000 |
| 150+ | $0.1162 | $ 17.4300 |
| 500+ | $0.1143 | $ 57.1500 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | WXDH D4N65 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Configuração | - | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 650V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 4A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 2.4Ω@10V,2A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 75W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 3V@250uA | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 3.5pF@25V | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 610pF@25V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 14.5nC@10V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1206 | $ 0.6030 |
| 50+ | $0.1180 | $ 5.9000 |
| 150+ | $0.1162 | $ 17.4300 |
| 500+ | $0.1143 | $ 57.1500 |
