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GOFORD G12P10KE-B
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | G12P10KE-B |
| Código da Peça EBEE | E822362828 |
| Pacote | TO-252 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | None |
| Descrição | TO-252 MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0699 | $ 0.3495 |
| 50+ | $0.0556 | $ 2.7800 |
| 150+ | $0.0485 | $ 7.2750 |
| 500+ | $0.0431 | $ 21.5500 |
| 2500+ | $0.0403 | $ 100.7500 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | GOFORD G12P10KE-B | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | P-Channel | |
| RDS (em inglês) | 350mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 41pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 44.6W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.652nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 42pF | |
| Gate Charge(Qg) | 33nC@10V |
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| 150+ | $0.0485 | $ 7.2750 |
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