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Wuxi NCE Power Semiconductor NCE30P12S


Fabricante
Código da Peça do Fabricante
NCE30P12S
Código da Peça EBEE
E8167515
Pacote
SOIC-8
Número do Cliente
Folha de Dados
Modelos EDA
Descrição
30V 12A 25mΩ@4.5V,7A 3W 1.5V@250uA 1 Piece P-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS
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10803 disponível para envio imediato
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
Qtd.Preço UnitárioPreço Ext.
10+$0.1927$ 1.9270
100+$0.1519$ 15.1900
300+$0.1293$ 38.7900
1000+$0.1157$ 115.7000
5000+$0.1040$ 520.0000
8000+$0.0976$ 780.8000
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TipoDescrição
Selecionar Tudo
CategoriaTransistores / os ossudores ,MOSFETs em
Folha de DadosWuxi NCE Power Semiconductor NCE30P12S
RoHS
Temperatura de funcionamento-55℃~+150℃
Tipo de tipo1 Piece P-Channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)30V
Corrente contínua de drenagem (Id)12A
Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id)25mΩ@4.5V,7A
Dissipação de potência (Pd)3W
Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id)1.5V@250uA
Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds)180pF
Capacitância de entrada (Ciss-Vds)1.75nF@15V
Carga total do portão (Qg-Vgs)24nC

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