| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | NCE0103M |
| Código da Peça EBEE | E8161844 |
| Pacote | SOT-89-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 100V 3A 170mΩ@4.5V,3A 1.5W 1V@250uA 1 N-channel SOT-89-3 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1504 | $ 0.7520 |
| 50+ | $0.1240 | $ 6.2000 |
| 150+ | $0.1106 | $ 16.5900 |
| 1000+ | $0.0994 | $ 99.4000 |
| 2000+ | $0.0914 | $ 182.8000 |
| 5000+ | $0.0874 | $ 437.0000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | Wuxi NCE Power Semiconductor NCE0103M | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 100V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 3A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 170mΩ@4.5V,3A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 1.5W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 1V@250uA | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 20pF | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 650pF@50V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 20nC@50V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1504 | $ 0.7520 |
| 50+ | $0.1240 | $ 6.2000 |
| 150+ | $0.1106 | $ 16.5900 |
| 1000+ | $0.0994 | $ 99.4000 |
| 2000+ | $0.0914 | $ 182.8000 |
| 5000+ | $0.0874 | $ 437.0000 |
