| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | CS630A4H |
| Código da Peça EBEE | E8140742 |
| Pacote | TO-252 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 200V 9A 83W 280mΩ@10V,5.4A 4V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3031 | $ 1.5155 |
| 50+ | $0.2391 | $ 11.9550 |
| 150+ | $0.2116 | $ 31.7400 |
| 500+ | $0.1774 | $ 88.7000 |
| 2500+ | $0.1622 | $ 405.5000 |
| 5000+ | $0.1530 | $ 765.0000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS630A4H | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 280mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | - | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 10pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 83W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 9A | |
| Ciss-Input Capacitance | 600pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 90pF | |
| Gate Charge(Qg) | 13nC@10V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3031 | $ 1.5155 |
| 50+ | $0.2391 | $ 11.9550 |
| 150+ | $0.2116 | $ 31.7400 |
| 500+ | $0.1774 | $ 88.7000 |
| 2500+ | $0.1622 | $ 405.5000 |
| 5000+ | $0.1530 | $ 765.0000 |
