| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | CS10N70FA9R |
| Código da Peça EBEE | E8162369 |
| Pacote | TO-220F |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 700V 10A 1.05Ω@10V,5A 40W 4V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5823 | $ 0.5823 |
| 10+ | $0.4696 | $ 4.6960 |
| 50+ | $0.4124 | $ 20.6200 |
| 100+ | $0.3568 | $ 35.6800 |
| 500+ | $0.3228 | $ 161.4000 |
| 1000+ | $0.3058 | $ 305.8000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS10N70FA9R | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 1.05Ω@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | - | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 6.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 40W | |
| Drain to Source Voltage | 700V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.563nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 120pF | |
| Gate Charge(Qg) | 34nC@10V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5823 | $ 0.5823 |
| 10+ | $0.4696 | $ 4.6960 |
| 50+ | $0.4124 | $ 20.6200 |
| 100+ | $0.3568 | $ 35.6800 |
| 500+ | $0.3228 | $ 161.4000 |
| 1000+ | $0.3058 | $ 305.8000 |
