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Wuxi China Resources Huajing Microelectronics BT25T120CKR


Fabricante
Código da Peça do Fabricante
BT25T120CKR
Código da Peça EBEE
E8696830
Pacote
TO-247-3
Número do Cliente
Folha de Dados
Modelos EDA
ECCN
-
Descrição
208W 50A 1.2kV TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS
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Nome do Contato
E-mail Corporativo
Nome da Empresa
País
Qualidade
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
Qtd.Preço UnitárioPreço Ext.
1+$1.8783$ 1.8783
10+$1.6250$ 16.2500
30+$1.4657$ 43.9710
100+$1.3028$ 130.2800
500+$1.2287$ 614.3500
1000+$1.1961$ 1196.1000
TipoDescrição
Selecionar Tudo
CategoriaTransistores / os ossudores ,IGBT Transistores / Módulos
Folha de DadosWuxi China Resources Huajing Microelectronics BT25T120CKR
RoHS
Temperatura de funcionamento-
Tipo de tipo-
Corrente do Colecionador (Ic)50A
Dissipação de potência (Pd)208W
Vira-te? fora Tempo de atraso (Td(off))198ns
Vira-te? em Tempo de Atraso (Td(on))34ns
Tensão de Repartição do Emitor Colecionador (Vces)1.2kV
Capacitância de entrada (Cies-Vce)2.37nF@30V
Voltagem de limiar de emissor de porta-emissor (Vge(th) ?Ic)5.8V@250uA
Carga total do portão (Qg-Ic, Vge)145nC@25A,15V
Tempo de Recuperação Reverso de Diodos (Trr)-
Vira-te? Desligar a perda (Eoff)0.95mJ
Vira-te? em Switching Loss (Eon)1.88mJ
Tensão de saturação de emissor coletor-emitor (VCE(sat) ?Ic, Vge)1.95V@25A,15V
Tensão de diodo dianteira (Vf-If)2.7V@25A

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