Recommonended For You
As imagens são apenas para referência
Adicionar aos Favoritos
MASPOWER ESJ100SH60N
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | ESJ100SH60N |
| Código da Peça EBEE | E837635852 |
| Pacote | FD7 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | FD7 IGBT Transistors / Modules ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
Saiba mais >>Em Estoque : Consulte-nos
Por favor, envie uma RFQ, responderemos imediatamente.
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $22.1222 | $ 22.1222 |
Recomendado Para Você
Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,IGBT Transistores / Módulos | |
| Folha de Dados | MASPOWER ESJ100SH60N | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -40℃~+125℃ | |
| Tensão de Repartição do Emitor Colecionador (Vces) | 600V | |
| Voltagem de limiar de emissor de porta-emissor (Vge(th) ?Ic) | 3.5V@250uA | |
| IGBT Type | NPT (Non-Punch Through) | |
| Gate Charge(Qg) | 560nC@15V | |
| Td(off) | 250ns | |
| Td(on) | 120ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 280pF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 180ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 1.9mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 1mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 5.85nF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 200A | |
| Output Capacitance(Coes) | 780pF |
Guia de Compras
Expandir
Em Estoque : Consulte-nos
Por favor, envie uma RFQ, responderemos imediatamente.
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $22.1222 | $ 22.1222 |
