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WILLSEMI(Will Semicon) WNM6012-3/TR
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | WNM6012-3/TR |
| Código da Peça EBEE | E82941870 |
| Pacote | DFN1006-3L |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | DFN-3L(1x0.6) MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0635 | $ 0.6350 |
| 100+ | $0.0506 | $ 5.0600 |
| 300+ | $0.0442 | $ 13.2600 |
| 1000+ | $0.0393 | $ 39.3000 |
| 5000+ | $0.0354 | $ 177.0000 |
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Especificações
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|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | WILLSEMI(Will Semicon) WNM6012-3/TR | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 24Ω@2.5V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 700fF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.008W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 250mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 9.4pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 2.2pF | |
| Gate Charge(Qg) | 3.4nC@10V |
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