| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | 2N65M |
| Código da Peça EBEE | E87433961 |
| Pacote | TO-252 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | - |
| Descrição | 650V 4A TO-252 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1551 | $ 0.7755 |
| 50+ | $0.1201 | $ 6.0050 |
| 150+ | $0.1051 | $ 15.7650 |
| 500+ | $0.0864 | $ 43.2000 |
| 2500+ | $0.0780 | $ 195.0000 |
| 5000+ | $0.0730 | $ 365.0000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | WEIDA 2N65M | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 3.8Ω@10V | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 6pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 35W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 290pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 31pF | |
| Gate Charge(Qg) | 9nC |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1551 | $ 0.7755 |
| 50+ | $0.1201 | $ 6.0050 |
| 150+ | $0.1051 | $ 15.7650 |
| 500+ | $0.0864 | $ 43.2000 |
| 2500+ | $0.0780 | $ 195.0000 |
| 5000+ | $0.0730 | $ 365.0000 |
