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| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STB12NM50T4 |
| Código da Peça EBEE | E8495231 |
| Pacote | D2PAK |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 550V 12A 160W 0.35Ω@10V,6A 5V@50uA 1 N-channel TO-263 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.5760 | $ 2.5760 |
| 10+ | $2.2819 | $ 22.8190 |
| 30+ | $2.0975 | $ 62.9250 |
| 100+ | $1.9079 | $ 190.7900 |
| 500+ | $1.8229 | $ 911.4500 |
| 1000+ | $1.7863 | $ 1786.3000 |
| 2000+ | $1.7719 | $ 3543.8000 |
| 4000+ | $1.7614 | $ 7045.6000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | ST STB12NM50T4 | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 350mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -65℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 20pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 160W | |
| Drain to Source Voltage | 550V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1nF | |
| Gate Charge(Qg) | 39nC@400V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.5760 | $ 2.5760 |
| 10+ | $2.2819 | $ 22.8190 |
| 30+ | $2.0975 | $ 62.9250 |
| 100+ | $1.9079 | $ 190.7900 |
| 500+ | $1.8229 | $ 911.4500 |
| 1000+ | $1.7863 | $ 1786.3000 |
| 2000+ | $1.7719 | $ 3543.8000 |
| 4000+ | $1.7614 | $ 7045.6000 |
