| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | SUM70030E-GE3 |
| Código da Peça EBEE | E83291112 |
| Pacote | TO-263(D2PAK) |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 100V 150A 0.00288Ω@10V,30A 375W 4V@250uA 1 N-channel TO-263(D2PAK) MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.1056 | $ 3.1056 |
| 10+ | $3.0257 | $ 30.2570 |
| 30+ | $2.9735 | $ 89.2050 |
| 100+ | $2.9197 | $ 291.9700 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | VISHAY SUM70030E-GE3 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 3.48mΩ@7.5V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 40pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 180W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 150A | |
| Ciss-Input Capacitance | 10.87nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 820pF | |
| Gate Charge(Qg) | 214nC@10V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.1056 | $ 3.1056 |
| 10+ | $3.0257 | $ 30.2570 |
| 30+ | $2.9735 | $ 89.2050 |
| 100+ | $2.9197 | $ 291.9700 |
