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Vishay Intertech SISH615ADN-T1-GE3
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | SISH615ADN-T1-GE3 |
| Código da Peça EBEE | E87363886 |
| Pacote | - |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 20V 22.1A 3.7W 0.0044Ω@10V,35A 400mV@250uA 1 Piece P-Channel MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3222 | $ 1.3222 |
| 10+ | $1.1223 | $ 11.2230 |
| 30+ | $1.0106 | $ 30.3180 |
| 100+ | $0.8863 | $ 88.6300 |
| 500+ | $0.8304 | $ 415.2000 |
| 1000+ | $0.8052 | $ 805.2000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | VISHAY SISH615ADN-T1-GE3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo de tipo | 1 Piece P-Channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 20V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 22.1A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 0.0044Ω@10V,35A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 3.7W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 400mV@250uA | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 183pF@10V | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 5.59nF@10V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 59nC@10V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3222 | $ 1.3222 |
| 10+ | $1.1223 | $ 11.2230 |
| 30+ | $1.0106 | $ 30.3180 |
| 100+ | $0.8863 | $ 88.6300 |
| 500+ | $0.8304 | $ 415.2000 |
| 1000+ | $0.8052 | $ 805.2000 |
