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Vishay Intertech SIHD2N80E-GE3


Fabricante
Código da Peça do Fabricante
SIHD2N80E-GE3
Código da Peça EBEE
E83291011
Pacote
TO-252
Número do Cliente
Folha de Dados
Modelos EDA
ECCN
EAR99
Descrição
800V 2.8A 62.5W 2.38Ω@10V,1A 2V@250uA 1 N-channel TO-252AA MOSFETs ROHS
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Qtd.Preço UnitárioPreço Ext.
1+$0.9958$ 0.9958
10+$0.8163$ 8.1630
30+$0.7182$ 21.5460
75+$0.6081$ 45.6075
525+$0.5583$ 293.1075
975+$0.5356$ 522.2100
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TipoDescrição
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CategoriaDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
Folha de DadosVISHAY SIHD2N80E-GE3
RoHS
Tipo de tipoN-Channel
RDS (em inglês)2.75Ω@10V
Temperatura de funcionamento --55℃~+150℃
Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds)6pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation62.5W
Drain to Source Voltage800V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
Current - Continuous Drain(Id)2.8A
Ciss-Input Capacitance315pF
Output Capacitance(Coss)20pF
Gate Charge(Qg)90nC@10V

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