| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | SIHB24N65E-E3 |
| Código da Peça EBEE | E87316105 |
| Pacote | D2PAK(TO-263) |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 650V 24A 145mΩ@10V,12A 250W 4V@250uA 1 N-channel D2PAK(TO-263) MOSFETs ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $8.6632 | $ 8.6632 |
| 200+ | $3.4572 | $ 691.4400 |
| 500+ | $3.3422 | $ 1671.1000 |
| 1000+ | $3.2838 | $ 3283.8000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | VISHAY SIHB24N65E-E3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 650V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 24A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 145mΩ@10V,12A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 250W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 4V@250uA | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 2.74nF@100V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 122nC@10V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $8.6632 | $ 8.6632 |
| 200+ | $3.4572 | $ 691.4400 |
| 500+ | $3.3422 | $ 1671.1000 |
| 1000+ | $3.2838 | $ 3283.8000 |
