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Vishay Intertech SI8812DB-T2-E1


Fabricante
Código da Peça do Fabricante
SI8812DB-T2-E1
Código da Peça EBEE
E8727314
Pacote
UFBGA-4
Número do Cliente
Folha de Dados
Modelos EDA
ECCN
EAR99
Descrição
20V 3.2A 59mΩ@4.5V,1A 500mW 400mV@250uA 1 N-channel UFBGA-4 MOSFETs ROHS
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Qualidade
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
Qtd.Preço UnitárioPreço Ext.
1+$0.1886$ 0.1886
200+$0.0730$ 14.6000
500+$0.0705$ 35.2500
1000+$0.0692$ 69.2000
TipoDescrição
Selecionar Tudo
CategoriaDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
Folha de DadosVISHAY SI8812DB-T2-E1
RoHS
Temperatura de funcionamento-55℃~+150℃@(Tj)
Tipo de tipo1 N-channel
Tensão da fonte de drenagem (Vdss)20V
Corrente contínua de drenagem (Id)3.2A
Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id)59mΩ@4.5V,1A
Dissipação de potência (Pd)500mW
Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id)400mV@250uA
Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds)-
Capacitância de entrada (Ciss-Vds)0.14pF@20V
Carga total do portão (Qg-Vgs)17nC@8V

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