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Vishay Intertech SI8808DB-T2-E1
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | SI8808DB-T2-E1 |
| Código da Peça EBEE | E8145290 |
| Pacote | BGA-4 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 30V 1.8A 95mΩ@4.5V,1A 500mW 900mV@250uA 1 N-channel BGA-4 MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7207 | $ 0.7207 |
| 10+ | $0.7066 | $ 7.0660 |
| 30+ | $0.6959 | $ 20.8770 |
| 100+ | $0.6852 | $ 68.5200 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | VISHAY SI8808DB-T2-E1 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 30V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 1.8A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 95mΩ@4.5V,1A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 500mW | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 900mV@250uA | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 330pF@15V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 10nC@8V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7207 | $ 0.7207 |
| 10+ | $0.7066 | $ 7.0660 |
| 30+ | $0.6959 | $ 20.8770 |
| 100+ | $0.6852 | $ 68.5200 |
