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Vishay Intertech SI8802DB-T2-E1
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | SI8802DB-T2-E1 |
| Código da Peça EBEE | E8727431 |
| Pacote | XFBGA-4 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 8V 3.5A 0.054Ω@4.5V,1A 600mW 700mV@250uA 1 N-channel XFBGA-4 MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8583 | $ 0.8583 |
| 10+ | $0.6831 | $ 6.8310 |
| 30+ | $0.5948 | $ 17.8440 |
| 100+ | $0.5080 | $ 50.8000 |
| 500+ | $0.4560 | $ 228.0000 |
| 1000+ | $0.4292 | $ 429.2000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | VISHAY SI8802DB-T2-E1 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 54mΩ@4.5V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 600mW | |
| Drain to Source Voltage | 8V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 700mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
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