| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | SI8472DB-T2-E1 |
| Código da Peça EBEE | E8143657 |
| Pacote | UFBGA-4 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 20V 3.3A 1.1W 0.044Ω@4.5V,1.5A 900mV@250uA 1 N-channel UFBGA-4 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0926 | $ 1.0926 |
| 10+ | $1.0726 | $ 10.7260 |
| 30+ | $1.0603 | $ 31.8090 |
| 100+ | $1.0465 | $ 104.6500 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | VISHAY SI8472DB-T2-E1 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| Configuração | - | |
| RDS (em inglês) | 70mΩ@1.5V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.8W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 900mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Output Capacitance(Coss) | - | |
| Gate Charge(Qg) | 18nC@8V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0926 | $ 1.0926 |
| 10+ | $1.0726 | $ 10.7260 |
| 30+ | $1.0603 | $ 31.8090 |
| 100+ | $1.0465 | $ 104.6500 |
