Recommonended For You
As imagens são apenas para referência
Adicionar aos Favoritos
Vishay Intertech Si2308BDS-T1-GE3
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | Si2308BDS-T1-GE3 |
| Código da Peça EBEE | E812298 |
| Pacote | SOT-23-3 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 60V 2.3A 0.156Ω@10V,2.3A 1.09W 1V@250uA 1 N-channel SOT-23-3 MOSFETs ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
Saiba mais >>Em Estoque : Consulte-nos
Por favor, envie uma RFQ, responderemos imediatamente.
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2336 | $ 0.2336 |
| 10+ | $0.1880 | $ 1.8800 |
| 30+ | $0.1685 | $ 5.0550 |
| 100+ | $0.1441 | $ 14.4100 |
| 500+ | $0.1332 | $ 66.6000 |
| 1000+ | $0.0998 | $ 99.8000 |
Recomendado Para Você
Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | Vishay Intertech Si2308BDS-T1-GE3 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 192mΩ@4.5V | |
| Temperatura de funcionamento - | - | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.8W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.3A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Output Capacitance(Coss) | - | |
| Gate Charge(Qg) | 6.8nC@10V |
Guia de Compras
Expandir
Em Estoque : Consulte-nos
Por favor, envie uma RFQ, responderemos imediatamente.
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2336 | $ 0.2336 |
| 10+ | $0.1880 | $ 1.8800 |
| 30+ | $0.1685 | $ 5.0550 |
| 100+ | $0.1441 | $ 14.4100 |
| 500+ | $0.1332 | $ 66.6000 |
| 1000+ | $0.0998 | $ 99.8000 |
