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Vishay Intertech SI2304DDS-T1-GE3
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | SI2304DDS-T1-GE3 |
| Código da Peça EBEE | E856372 |
| Pacote | SOT-23 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 30V 3.6A 0.06Ω@10V,3.2A 1.1W 2.2V@250uA 1 N-channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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|---|---|---|
| 5+ | $0.0835 | $ 0.4175 |
| 50+ | $0.0680 | $ 3.4000 |
| 150+ | $0.0602 | $ 9.0300 |
| 500+ | $0.0544 | $ 27.2000 |
| 3000+ | $0.0450 | $ 135.0000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Transistores / os ossudores ,MOSFETs em | |
| Folha de Dados | Vishay Intertech SI2304DDS-T1-GE3 | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 60mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 17pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.1W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 235pF | |
| Gate Charge(Qg) | 2.1nC@10V |
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