| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | IRFBE30LPBF |
| Código da Peça EBEE | E87211048 |
| Pacote | I2PAK |
| Número do Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 800V 4.1A 3Ω@10V,2.5A 125W 4V@250uA 1 N-channel I2PAK MOSFETs ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.2511 | $ 3.2511 |
| 200+ | $1.2979 | $ 259.5800 |
| 500+ | $1.2541 | $ 627.0500 |
| 1000+ | $1.2321 | $ 1232.1000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo de tipo | 1 N-channel | |
| Tensão da fonte de drenagem (Vdss) | 800V | |
| Corrente contínua de drenagem (Id) | 4.1A | |
| Drenagem Fonte Sobre Resistência (RDS(on) ?Vgs, Id) | 3Ω@10V,2.5A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 125W | |
| Voltagem de limiar de portão (Vgs(th) ?Id) | 4V@250uA | |
| Capacitância de entrada (Ciss-Vds) | 1.3nF@25V | |
| Carga total do portão (Qg-Vgs) | 78nC@10V |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.2511 | $ 3.2511 |
| 200+ | $1.2979 | $ 259.5800 |
| 500+ | $1.2541 | $ 627.0500 |
| 1000+ | $1.2321 | $ 1232.1000 |
