| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | IRF9610SPBF |
| Código da Peça EBEE | E8727791 |
| Pacote | D2PAK(TO-263) |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 200V 1.8A 3Ω@10V,0.9A 20W 2V@250uA 1 Piece P-Channel D2PAK MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0899 | $ 2.0899 |
| 10+ | $1.7392 | $ 17.3920 |
| 30+ | $1.5181 | $ 45.5430 |
| 100+ | $1.2922 | $ 129.2200 |
| 500+ | $1.1911 | $ 595.5500 |
| 1000+ | $1.1469 | $ 1146.9000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | VISHAY IRF9610SPBF | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | 3Ω@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 15pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 20W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1.8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 170pF | |
| Gate Charge(Qg) | 11nC@10V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0899 | $ 2.0899 |
| 10+ | $1.7392 | $ 17.3920 |
| 30+ | $1.5181 | $ 45.5430 |
| 100+ | $1.2922 | $ 129.2200 |
| 500+ | $1.1911 | $ 595.5500 |
| 1000+ | $1.1469 | $ 1146.9000 |
