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VBsemi Elec VBZC8205A
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | VBZC8205A |
| Código da Peça EBEE | E8700611 |
| Pacote | TSSOP-8 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 20V 6.6A 960mW 1V@250uA 2 N-Channel TSSOP-8 MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2758 | $ 1.3790 |
| 50+ | $0.2165 | $ 10.8250 |
| 150+ | $0.1912 | $ 28.6800 |
| 500+ | $0.1595 | $ 79.7500 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | VBsemi Elec VBZC8205A | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 22mΩ@4.5V;32mΩ@2.5V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | - | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 960mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6.6A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
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