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| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | VBZA9358 |
| Código da Peça EBEE | E8700604 |
| Pacote | SO-8 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 30V 8A 2.5W 1V@250uA 2 P-Channel SO-8 MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5601 | $ 0.5601 |
| 10+ | $0.4548 | $ 4.5480 |
| 30+ | $0.4022 | $ 12.0660 |
| 100+ | $0.3510 | $ 35.1000 |
| 500+ | $0.3023 | $ 151.1500 |
| 1000+ | $0.2861 | $ 286.1000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | VBsemi Elec VBZA9358 | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | P-Channel | |
| RDS (em inglês) | 13mΩ@10V;17mΩ@4.5V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 185pF | |
| Number | 2 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 5W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.16nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 215pF | |
| Gate Charge(Qg) | 15nC@10V;[email protected] |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5601 | $ 0.5601 |
| 10+ | $0.4548 | $ 4.5480 |
| 30+ | $0.4022 | $ 12.0660 |
| 100+ | $0.3510 | $ 35.1000 |
| 500+ | $0.3023 | $ 151.1500 |
| 1000+ | $0.2861 | $ 286.1000 |
