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| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | VBMB1302 |
| Código da Peça EBEE | E87429159 |
| Pacote | TO-220F |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 30V 28.8A 3.75W 1V@250uA 1 N-channel TO-220F MOSFETs ROHS |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0478 | $ 1.0478 |
| 10+ | $0.8657 | $ 8.6570 |
| 50+ | $0.6866 | $ 34.3300 |
| 100+ | $0.5963 | $ 59.6300 |
| 500+ | $0.5432 | $ 271.6000 |
| 1000+ | $0.5146 | $ 514.6000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | VBsemi Elec VBMB1302 | |
| RoHS | ||
| RDS (em inglês) | - | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 270pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 3.75W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 28.8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 6.7nF | |
| Gate Charge(Qg) | 81.5nC@10V |
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0478 | $ 1.0478 |
| 10+ | $0.8657 | $ 8.6570 |
| 50+ | $0.6866 | $ 34.3300 |
| 100+ | $0.5963 | $ 59.6300 |
| 500+ | $0.5432 | $ 271.6000 |
| 1000+ | $0.5146 | $ 514.6000 |
