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VBsemi Elec STD8N65M5-VB
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STD8N65M5-VB |
| Código da Peça EBEE | E822357267 |
| Pacote | TO-252 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 650V 8A 560mΩ@10V 4V 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
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3 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0733 | $ 1.0733 |
| 10+ | $0.8876 | $ 8.8760 |
| 30+ | $0.7860 | $ 23.5800 |
| 100+ | $0.6701 | $ 67.0100 |
| 500+ | $0.6192 | $ 309.6000 |
| 1000+ | $0.5970 | $ 597.0000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | VBsemi Elec STD8N65M5-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| Configuração | - | |
| RDS (em inglês) | 560mΩ@10V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 51pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 180W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.3nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 51pF | |
| Gate Charge(Qg) | 205nC@10V |
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| 30+ | $0.7860 | $ 23.5800 |
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