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VBsemi Elec STD70N10F4-VB
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STD70N10F4-VB |
| Código da Peça EBEE | E87463503 |
| Pacote | TO-252 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 100V 85A 176W 4V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8597 | $ 0.8597 |
| 10+ | $0.7058 | $ 7.0580 |
| 30+ | $0.6289 | $ 18.8670 |
| 100+ | $0.5520 | $ 55.2000 |
| 500+ | $0.4603 | $ 230.1500 |
| 1000+ | $0.4373 | $ 437.3000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | VBsemi Elec STD70N10F4-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 8.5mΩ@10V;10.5mΩ@4.5V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 205pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 176W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 85A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4nF | |
| Gate Charge(Qg) | 160nC@10V |
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| 30+ | $0.6289 | $ 18.8670 |
| 100+ | $0.5520 | $ 55.2000 |
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