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VBsemi Elec STD5407NT4G-VB
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | STD5407NT4G-VB |
| Código da Peça EBEE | E822389492 |
| Pacote | TO-252 |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | TO-252 MOSFETs ROHS |
Estes materiais suportam cabos personalizados!
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6 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4970 | $ 0.4970 |
| 10+ | $0.3906 | $ 3.9060 |
| 30+ | $0.3446 | $ 10.3380 |
| 100+ | $0.2874 | $ 28.7400 |
| 500+ | $0.2620 | $ 131.0000 |
| 1000+ | $0.2461 | $ 246.1000 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Folha de Dados | VBsemi Elec STD5407NT4G-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo de tipo | N-Channel | |
| RDS (em inglês) | 14mΩ@4.5V | |
| Temperatura de funcionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacitança de Transferência Reversa (CrsséVds) | 570pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 100W | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 55A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.801nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 725pF | |
| Gate Charge(Qg) | 42nC@10V |
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